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　株式会社安川電機(本社：北九州市)はこのたび、独自の電気自動車（以下、EV）用モータドライブ「QMETドライブ」にSiC（シリコンカーバイド）を採用した「SiC-QMET」を開発しました。
　「SiC-QMET」は、ローム株式会社（本社：京都市）が新規開発したSiC-トレンチMOSFETとSiC-SBD（ショットキーバリアダイオード）を採用しており、安川電機のドライブ技術とロームのデバイス技術を融合させた新しいコンセプトのEV用モータドライブです。

　近年のエコカーの需要拡大に伴いEVの製品化も加速していますが、EVの最大の課題である航続距離の確保に関しては、電気駆動システムでの｢電費｣を向上させることが急務であり、その中でモータドライブの高効率化は最重要課題の一つです。そのため、安川電機とロームは究極の高効率化を目指して次世代パワー素子を共同で研究開発しています。

　このたび開発した「SiC-QMET」は、安川電機独自の電子式巻線切替技術を搭載した「QMETドライブ」をベースとし、従来の電子式巻線切替で用いていたモータ内蔵のシリコン製IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）とダイオードをSiCに置き換えると同時に、SiCの高温動作特性を活かし、モータの冷却構造の簡素化、小型化とともに、更なる高効率化を実現しました。また、モータ駆動用のインバータの主回路も全て SiC化し、大幅な小型化・高効率化を実現しました。これにより、モータの電子式巻線切替部の体積およびインバータの体積を従来の1/2以下とし、変換効率を2%向上しました。

　来たるべきEV社会に向け、安川電機とロームは更なる小型化・高効率化を目指したSiCの開発を進めてまいります。

　なお、この開発成果は、2011年1月19日から21日まで東京ビッグサイトで開催される「第２回　ＥＶ・ＨＥＶ駆動システム技術展（通称　ＥＶ ＪＡＰＡＮ）」安川電機ブースにて展示いたします。

【お問い合わせ先】
株式会社 安川電機
東京管理部　広報グループ長
林田　歩
Tel：03-5402-4564
Fax：03-5402-4580