技術2011年1月18日
株式会社安川電機(本社:北九州市)はこのたび、独自の電気自動車(以下、EV)用モータドライブ「QMETドライブ」にSiC(シリコンカーバイド)を採用した「SiC-QMET」を開発しました。
「SiC-QMET」は、ローム株式会社(本社:京都市)が新規開発したSiC-トレンチMOSFETとSiC-SBD(ショットキーバリアダイオード)を採用しており、安川電機のドライブ技術とロームのデバイス技術を融合させた新しいコンセプトのEV用モータドライブです。
近年のエコカーの需要拡大に伴いEVの製品化も加速していますが、EVの最大の課題である航続距離の確保に関しては、電気駆動システムでの「電費」を向上させることが急務であり、その中でモータドライブの高効率化は最重要課題の一つです。そのため、安川電機とロームは究極の高効率化を目指して次世代パワー素子を共同で研究開発しています。
このたび開発した「SiC-QMET」は、安川電機独自の電子式巻線切替技術を搭載した「QMETドライブ」をベースとし、従来の電子式巻線切替で用いていたモータ内蔵のシリコン製IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)とダイオードをSiCに置き換えると同時に、SiCの高温動作特性を活かし、モータの冷却構造の簡素化、小型化とともに、更なる高効率化を実現しました。また、モータ駆動用のインバータの主回路も全て SiC化し、大幅な小型化・高効率化を実現しました。これにより、モータの電子式巻線切替部の体積およびインバータの体積を従来の1/2以下とし、変換効率を2%向上しました。
来たるべきEV社会に向け、安川電機とロームは更なる小型化・高効率化を目指したSiCの開発を進めてまいります。
なお、この開発成果は、2011年1月19日から21日まで東京ビッグサイトで開催される「第2回 EV・HEV駆動システム技術展(通称 EV JAPAN)」安川電機ブースにて展示いたします。
【お問い合わせ先】
株式会社 安川電機
東京管理部 広報グループ長
林田 歩
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